C盘在哪儿？扇区都能怎么分？线速度和角速度
之前留下了一个问题：为什么现在不用传统的三维寻址了呢？
因为不好用了呗。但为什么不好用了呢？这就说到今天介绍的问题了：碟片上的扇区都有哪些划分方式。注意哦，我说的是碟片，所以这就包括了硬盘、CD在内的很多圆盘样的存储设备了。慢慢说。
在正式开始之前，先用这种方式来简单理解一下扇区：固定时间间隔，读写头一时间单位在碟片上面划过的长度。再记住线速度与角速度关系的公式：v=Ω·r. 好了，可以开始了。
1、CLV
一开始的技术叫做CLV：恒定线速度。核心：整张盘的线速度都相同。根据刚才说到的公式：如果v一定，则r同Ω成反比。也就是说，磁头越接近内圈，需要的转速越高。所以这种技术需要马达不断的调整转速，寿命自然也非常短，通常用在低于12倍速光驱中。
2、CAV
CLV因为不停的更改机器的转速，会对机器的寿命造成一定的影响，而且磁盘转速也不能无限制的加快。所以后来又有了一种磁盘技术叫做CAV：恒定角速度，即马达的转速恒定。显然这对马达有了很不错的保护。而根据公式，角速度一定时，线速度同半径是成正比的。所以越靠近外圈，碟片的线速度就越快。再根据前边提到的扇区定义，很轻易就能得到一个结论：越靠近外圈，一个扇区的面积会越大。但这为硬盘带来了几个优势：一个扇区的面积越大，对应的磁介质就会越稀疏，而相互之间干扰出错的可能性就会越小。因此硬盘留下了一个传统：靠前的分区在磁盘外圈。
换一个角度来看：角速度一定，Ω/t就是一个定值(记为k)，进而可以得出，360°/k是一个定值。因此CAV模式下，不仅越外圈的扇区密度越小，每个磁道拥有的扇区数还是相同的。这就让CHS有了极大地用武之地：磁头、柱面、扇区，这三个量每个量都是从0到一个固定值的，管理起来就能方便很多。
3、ZDR
但随后的ZDR——区域数据记录技术——让CHS疑惑了。
简单来说，ZDR就是分区CAV：每个区域内为恒定角速度，而各个区域内的角速度不同。从磁盘的最外圈到内圈划分出若干个区域，每个区域内的每磁道扇区一致，但靠内的区域比外侧的区域的每磁道扇区数要少，从而可以根据不同的磁道长度来合理设定扇区的数量，以达到充分利用磁盘存储空间的目的。
可以想象，虽然磁头和磁道还是可确定的范围，但扇区却根据磁道所处区域的不同而有不同的范围，这种情况下的CHS显然就没那么好用了。而由于密度可以做到内外圈类似，所以越靠近外圈读写可以越快，因此第一个分区放在最外圈依旧是一个好的习惯。
还有一些其他的划分方式，比如P-CAV（内圈CAV外圈CLV）、Z-CLV（划块线速度）就不详细介绍了，这些都是在上面的基础之上进行的组合和改良。
正是ZDR的出现，让传统CHS变的不再那么好用了。所以也催生了LBA的产生。而现在的SSD，更是进一步舍弃了CHS三元素，让物理CHS更彻底的成为了历史。